(一)技术参数：

1、电 源：AC220V，50/60Hz；

2、额定功率：7kW；

3、炉膛尺寸：180×200mm；

4、加热元件：Si-Mo硅钼棒

5、额定温度：1600℃，温控精度：± 1℃，

升温速率：10℃/min；

6、报警保护：上、下限, 正、负偏差, 断偶等报警；

(二) 产品特色：

本设备适用于材料学相关专业的教学和科研实验，由温控系统、井式炉、真空系统、供气系统、水冷系统五部分构成，可在真空或气氛环境下用高温熔融生长法制备各种氧化物、非氧化物晶体材料，以及对多晶体样品进行烧结、热处理等。

1、智能AI控温，具备50段程序编排功能，节能高效益；

2、特殊的炉膛保温材料，炉膛温度分布均匀，保温性能优异；

3、高温控制范围，100～1600℃；

4、保护气氛的入口也可作为其它必要气体的入口；

5、真空密封部件由制冷循环水冷却，避免长流水费水扰民。